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DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2。128GB/s DDR 不支持3。3V 電壓的LVTTL 而是支持2。5V 的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM 的生產(chǎn)體系制造成本比SDRAM 略高一些但遠(yuǎn)小于Rambus的價格DDR存儲器代表著未來能與Rambu 相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。

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