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　　最早具有實際結構的場效應晶體管是在N型或者P型半導體基片上制作一對PN結及相應的金屬電極，兩個PN結之間有導電溝道，通過改變外加PN界的反向偏置電壓，以改變PN結耗盡層的厚度，從而達到改變溝道區載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場效應管也被稱為PN結型場效應晶體管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也稱JFET。 　　什么是 JFET 　　一種單極的三層晶體管，它是一種控制極是由pn組成的場效應晶體管，工作依賴于惟一種載流子 - 電子或空穴的運動。對于一個"正常接通”器件，每當N溝道JFET的漏極電壓相對于源極為正時，或是當P溝道JFET的漏極電壓相對于源極為負時，都有電流在溝道中流過。在JFET溝道中的電流受柵極電壓的控制，為了“夾斷”電流的流動，在N溝道JFET中柵極相對源極的電壓必須是負的；或者在P溝道JFET中柵極相對源極的電壓必須是正的。

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