EEPW
技術(shù)應(yīng)用
閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 。
HBM4競爭格局生變
長江存儲進(jìn)入加速期,三期項目計劃今年建成投產(chǎn)
國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
上調(diào)100%!存儲市場又一重磅調(diào)價信號
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Flash Nand-Flash T-Flash NANDFlash ISP/IAPFlash ROM/Flash/Dis Run-From-Flash