太陽(yáng)

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太陽(yáng)資訊

選擇性發(fā)射極晶體硅太陽(yáng)電池實(shí)現(xiàn)方法分析

所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽(yáng)電池，即在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可提高光線的短波響應(yīng)，同時(shí)減少前金屬電極與硅...

實(shí)現(xiàn) 方法 2012-10-15

大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)與制備的實(shí)現(xiàn)

1引言眾所周知，利用太陽(yáng)能有許多優(yōu)點(diǎn)，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來(lái)講，要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的最大目標(biāo)，從目...

結(jié)構(gòu) 制備 2012-08-14

基于ARM嵌入式圖像處理平臺(tái)的太陽(yáng)跟蹤系統(tǒng)

基于ARM嵌入式圖像處理平臺(tái)的太陽(yáng)跟蹤系統(tǒng),摘要：基于計(jì)算機(jī)視覺原理，以ARM微控制器為核心構(gòu)建嵌入式圖像處理平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)太陽(yáng)的實(shí)時(shí)跟蹤。系統(tǒng)采用CMOS圖像傳感器采集太陽(yáng)圖像，通過(guò)微控制器計(jì)算太陽(yáng)角度，通過(guò)串口控制轉(zhuǎn)...

太陽(yáng) 跟蹤 2012-06-06

薄膜太陽(yáng)電池――太陽(yáng)能的利用

硅太陽(yáng)電池的應(yīng)用日趨廣泛, 但昂貴的原材料成為發(fā)展的瓶頸. 薄膜太陽(yáng)電池由于只需使用一層極薄的光電材料，材料使用非常少。并可使用軟性襯底，應(yīng)用彈性大，如果技術(shù)發(fā)展成熟，其市場(chǎng)面將相當(dāng)寬闊。本文就迄今被人們...

薄膜電池 2012-05-07

硅片厚度對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池性能的影響

為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽(yáng)電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽(yáng)電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200um，如果繼續(xù)減小厚度...

電池硅片 2012-04-26

晶體硅太陽(yáng)電池使用壽命、衰減趨勢(shì)、衰減率

常規(guī)晶體硅太陽(yáng)電池使用壽命一般承諾20或25年（一般組件出廠有質(zhì)保書，保證什么時(shí)候衰減到多少），晶體硅太陽(yáng)電池片由于晶體生長(zhǎng)過(guò)程中引入雜質(zhì)，對(duì)電池片的初期光照會(huì)導(dǎo)致其中的摻雜劑和氧、鐵等雜質(zhì)形成復(fù)合中心，...

衰減趨勢(shì) 2012-04-24

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