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所有電子工程師都希望系統獲得相同的東西：更快的速度、更小的占地面積和更強的功率。該驅動器對電源的要求日益嚴格，必須在保持卓越效率、可靠性和控制力的同時，通過越來越緊湊的設計提供更多功率。歷史上，電源常被視為僅僅是“盒子”...

電源寬帶隙 2025-12-09

碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應...

202407 太陽能 2024-07-15

減少能源轉換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個切實可靠的節能降耗解決方案，可以通過系統方式減少碳足跡來減輕技術對環境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 ...

202207 寬帶隙 2022-07-22

受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在S...

意法半導體寬帶隙 2022-07-18

數字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX...

英飛凌寬帶隙 2022-07-08

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