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目前電氣化仍是減少碳排放的關鍵驅動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統硅器件相比，寬禁帶技術，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率轉換效率的關鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法，以應對當今電...

高效電源功率轉換 2025-02-19

電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動...

202411 寬禁帶 2024-10-18

9 月 3 日消息，“南京發布”官方公眾號于 9 月 1 日發布博文，報道稱國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET ...

碳化硅 mosfet 2024-09-03

在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子...

GaN 寬禁帶 2023-12-07

_____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電...

寬禁帶 SiC 2023-09-05

以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。...

碳化硅 SiC 2021-10-08

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