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mosfet技術社區(qū)

MOSFET

目錄·MOSFET的操作原理·MOSFET的核心·MOSFET的操作模式·MOSFET在電子電路上應用的優(yōu)勢·數位電路·模擬電路·MOSFET的尺寸縮放·為何要把MOSFET的尺寸縮小·MOSFET的尺寸縮小后出現的困難·次臨限傳導·芯片內部連接導線的寄生電容效應·芯片發(fā)熱量增加·柵極氧化層漏電流增加·制程變異更難掌控·MOSFET的柵極材料·各種常見的MOSFET技術·雙柵極MOSFET·DMOS·以MOSFET實現類比開關·單一MOSFET開關·MOSFET與IGBT的對比　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。　　從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。查看更多>>

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mosfet資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構高功率生態(tài)

在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等領域迎來功率需求爆發(fā)式增長的當下，熱管理已成為制約電源產品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結構與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用

碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領域進一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協(xié)議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實現更高的功率密度

簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

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mosfet專欄

2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術實力與解決方案在功率電子設計領域，MOSFET的選擇是決定產品效率、可靠性和成本的關鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進一步提高，工程師面臨的選型挑戰(zhàn)也日益復...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關速度不夠導致功率損失及解決方案

MOSFET（場效應晶體管）廣泛應用于現代電子電路，特別是在高效電力電子和開關電源設計中。其高速開關特性使其在很多高頻應用中成為理想的選擇。然而，在某些應用中，由于MOSFET開關速度不足，可能導致功率損失增大，進而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優(yōu)化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術詳解與選型應用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護電路設計實戰(zhàn)解析-ASIM阿賽姆

一、保護電路核心架構主流方案采用MOS管與三極管組合結構。三極管作為檢測元件，當電流異常時快速調整MOS管柵源電壓，形成動態(tài)限流機制。該架構響應時間可達毫秒級，在調光器應用中可有效防止燈泡爆裂。二、設計要點與參數計算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對策

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET 以其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅動及DC-DC轉換等領域。然而，FAE在現場調試和失效分析中發(fā)現，柵極電壓異常或失控是造成MOSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

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低端MOSFET驅動器培訓教程

低端MOSFET驅動器培訓視頻介紹驅動器基本原理、關鍵技術參數、選型方法及應用信息，幫助工程師正確選擇和使用MOSFET驅動器，提升電路性能與可靠性。...

從柵極驅動器到功率MOSFET，經過驗證的SiC轉換器解決方案

ROHM碳化硅評估板試用

快速學習: 低Qrr MOSFET在開關應用中的優(yōu)勢

快速學習: 什么是LFPAK?

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基于功率MOSFET設計考量

如何為WLED構建一個RGB PWM LED驅動程序

線性放大電路中的乙類推挽功率放大器設計

IGBT工作原理解析

四種最常用的電子元器件的參數解析

MOSFET和三極管的區(qū)別在哪？你知道嗎？

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如何為用于設備熱插拔選擇合適的 MOSFET器件

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羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現車載充電器小型化！

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英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應用介紹

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英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產品綜述

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英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務器的應用指南

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09-21 從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS

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08-31 MOSFET耗盡型和增強型兩種類型原理介紹

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