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2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術實力與解決方案在功率電子設計領域，MOSFET的選擇是決定產品效率、可靠性和成本的關鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進一步提高，工程師面臨的選型挑戰也日益復...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關速度不夠導致功率損失及解決方案

MOSFET（場效應晶體管）廣泛應用于現代電子電路，特別是在高效電力電子和開關電源設計中。其高速開關特性使其在很多高頻應用中成為理想的選擇。然而，在某些應用中，由于MOSFET開關速度不足，可能導致功率損失增大，進而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術詳解與選型應用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護電路設計實戰解析-ASIM阿賽姆

一、保護電路核心架構主流方案采用MOS管與三極管組合結構。三極管作為檢測元件，當電流異常時快速調整MOS管柵源電壓，形成動態限流機制。該架構響應時間可達毫秒級，在調光器應用中可有效防止燈泡爆裂。二、設計要點與參數計算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對策

在功率電子系統中，MOSFET 以其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅動及DC-DC轉換等領域。然而，FAE在現場調試和失效分析中發現，柵極電壓異常或失控是造成MOSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

MOSFET選型技巧一

MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）是電子電路中常用的關鍵器件，尤其在開關電源、電機驅動等領域應用廣泛。對于初學者會遇到不知如何識別G DS極和電路連接錯誤的問題。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要從電路圖...

MOSFET leiditech 2025-03-19

技術 | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響

參考文獻：白志強，4H-SiC功率MOSFETs的可靠性研究【D】，西安電子科技大學，2023三角形缺陷三角形缺陷是SiC外延層中最為致命的一類形貌缺陷，已有大量的文獻報道表明三角形缺陷的形成與3C晶型有關。然而由于生長...

MOSFET 2024-03-09

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CP...

大功率電源 MOSFET 2023-11-17

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝

2023年8月31日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最...

東芝 MOSFET 2023-08-31

英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC...

MOSFET 英飛凌 2023-08-03

SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

功率器件的興起帶動了電力電子產業的全面革命，功率半導體器件作為電力電子設備的關鍵組成部分，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。電力電子未來發展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計，在高開關頻率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

要說半導體圈子現在啥最熱，非第三代半導體莫屬，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體技術將成為未來半導體發展的新熱點，而這些材料為基材的半導體器件主要應用于和功率及能源相關的技術領域，“碳中和”目標的實...

東芝 SiC 2023-04-27

如何避免MOSFET常見問題和失效模式

前些時分享了東芝的《MOSFET柵極驅動電路應用說明》的文檔，今天再給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。原文檔的鏈接如下：https:...

MOSFET 2023-04-25

MOSFET柵極驅動電路應用說明

最近看到一個東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯，就把內容復制出來了，分享給大家看下，原文檔下載鏈接是這個：https://max.book118.com/html/2019/0604/501414430100204...

MOSFET 柵極驅動 2023-02-28

光電耦合器和MOSFET之間的差異

光電耦合器和MOSFET之間的差異介紹光電耦合器/光耦合器和固態繼電器（光電MOSFET或光耦MOSFET（OCMOS FET））在保持電隔離的同時傳輸信號，但存在一些重要差異。結構差異下圖顯示了光電耦合器和OCMOS ...

光電耦合器 MOSFET 2023-02-01

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

從2025年起將向全球電動汽車供貨，助力延長續航里程和系統的小型化全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日...

電動汽車 sic 2022-12-28

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅動器的重要性

碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導體材料，未來它肯定會取代硅用于大功率應用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要創建一個足夠的驅動程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20...

MOSFET LTspice 2022-11-10

MOSFET選型10步法則

俗話說“人無遠慮必有近憂”，對于電子設計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關于MOSFET...

MOSFET 法則 2022-10-27

MOSFET結構及其工作原理詳解

MOSFET基本概述 &n...

MOSFET MOS管 2022-10-21

MOSFET選型10步法則

MOSFET 2022-10-16

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別

來源：techclass.rohm功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢...

Si-MOSFET 2022-07-17

MOSFET 安全工作區域 SOA是什么

如果您想知道或擔心您的 MOSFET 在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的 SOA 數據。在這篇文章中，我們將全面討論 MOSFET 數據表中顯示的安全工作區域 SOA。SOA曲線圖以下是...

MOSFET ;SOA 2022-05-06

【干貨】技術角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隱蔽的碳化硅MOSFET柵極諧振問題

Tesla Model 3 批量召回可能原因分析— 隱蔽的碳化硅MOSFET模塊并聯中的柵極諧振問題徐賀、朱楠、鄭福軍、朱安康、羅皓澤引言最近特斯拉因后驅逆變器故障召回國內超過12.5萬輛M...

MOSFET 2022-04-16

1.2kV SiC MOSFET中的主動短路和重復短路

來源：芯TIP報告主題：1.2kV SiC MOSFET 中的主動短路和重復短路報告作者：Amy Romero, Adam Barkley, Robert Zenoz,Frank DiLustro , Jef...

MOSFET 2022-04-16

MOSFET器件選型的3****則，教你成為器件選型大師

來源：電子發燒友網俗話說“人無遠慮必有近憂”，對于電子設計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎...

MOSFET 2022-04-16

重磅新品｜清純半導體推出國內首款15V驅動SiC MOSFET

來源：碳化硅芯觀察市場動態：近日，清純半導體發布了國內首款15V驅動的1200V SiC MOSFET器件平臺產品，填補了國內15V驅動SiC MOSFET產品空白。國內頭部碳化硅器件研發企業「清純半導體」日前宣布發布國...

SiC MOSFET 2022-04-13

MOSFET 之父：Dawon Kahng 和 Martin Atalla

當今數字電路中最流行的晶體管技術是金屬氧化物半導體場效應晶體管 ( MOSFET )，以其基于施加電壓的動態導電性而聞名。自誕生以來，這些功能已支持無數電子設備。然而，這種創新并沒有自發實現。跟隨我們分享 D...

MOSFET 2021-12-21

盤點 | 重中之重的功率半導體，全球MOSFET制造商有哪些？?

功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉換等。只要在擁有電流電壓及相位轉換的電路系統中，都會用到功率器件。基本上，功率半導體大致可分為功率離散元件 (Power Di...

MOSFET 2021-06-29

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2026年MOSFET廠家推薦

MOSFET開關速度不夠導致功率損失及解決方案

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優化方案

MOS管技術詳解與選型應用指南

MOS管短路保護電路設計實戰解析-ASIM阿賽姆

MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對策

MOSFET選型技巧一

技術 | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝

英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

如何避免MOSFET常見問題和失效模式

MOSFET柵極驅動電路應用說明

光電耦合器和MOSFET之間的差異

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅動器的重要性

MOSFET選型10步法則

MOSFET結構及其工作原理詳解

MOSFET選型10步法則

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別

MOSFET 安全工作區域 SOA是什么

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1.2kV SiC MOSFET中的主動短路和重復短路

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