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目錄·MOSFET的操作原理·MOSFET的核心·MOSFET的操作模式·MOSFET在電子電路上應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)·數(shù)位電路·模擬電路·MOSFET的尺寸縮放·為何要把MOSFET的尺寸縮小·MOSFET的尺寸縮小后出現(xiàn)的困難·次臨限傳導(dǎo)·芯片內(nèi)部連接導(dǎo)線的寄生電容效應(yīng)·芯片發(fā)熱量增加·柵極氧化層漏電流增加·制程變異更難掌控·MOSFET的柵極材料·各種常見的MOSFET技術(shù)·雙柵極MOSFET·DMOS·以MOSFET實(shí)現(xiàn)類比開關(guān)·單一MOSFET開關(guān)·MOSFET與IGBT的對(duì)比　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 　　從目前的角度來看MOSFET的命名，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。