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　　本文通過結合LDO與Brokaw基準核心，設計出了高PSR的帶隙基準，此帶隙基準輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達到7.5 ppm，適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本設計...

帶隙基準源 LDO 2016-01-19

摘要：在傳統(tǒng)Brokaw帶隙基準源的基礎上，提出一種采用自偏置結構和共源共柵電流鏡的低成本多路基準電壓輸出的CMOS帶隙基準源結構，省去了一個放大器，并減小了所需的電阻阻值，大大降低了成本，減小了功耗和噪聲。該...

帶隙基準源多路基準電壓輸出 2013-04-22

發(fā)動機控制芯片在汽車中得到了廣泛的應用，是汽車電子的核心部分之一。發(fā)動機控制芯片結合了大量的傳感器接......

帶隙基準源電源共模抑制比 2011-12-24

提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準電流進行動態(tài)電流反饋補償，設計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數(shù)...

CMOS 高精度 2010-09-30

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帶隙基準源二次曲率補償 2009-06-18

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