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標(biāo)簽

柵極電阻技術(shù)社區(qū)

柵極電阻

　　柵極電阻　　中文名柵極電阻　　拼音shanjidianzu 　　解釋采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置　　應(yīng) 用驅(qū)動(dòng)器　　目錄　　1簡(jiǎn)介　　2形成工藝方法　　3計(jì)算　　4設(shè)計(jì)、布局和疑難解答　　柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì)，采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET。兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí)，N通道MOSFET導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)為低電平時(shí)，P通道MOSFET導(dǎo)通，從而產(chǎn)生一個(gè)兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級(jí)可有一路或兩路輸出。查看更多>>

全部資訊論壇

柵極電阻資訊

新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核...

功率器件升壓斬波電路 2016-10-16

MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用

MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用, 1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過壓(柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過壓產(chǎn)生)4.全橋柵極電阻也是同樣機(jī)理，盡快泄放柵極電荷，...

Mos管柵極電阻 2012-12-24

淺析柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的性能影響

1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on...

IGBT 柵極電阻 2012-07-31

柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的性能影響分析

　1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(...

IGBT 柵極電阻 2010-10-13

使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)

1 前言用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(...

IGBT 柵極電阻 2009-05-08

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柵極電阻論壇

06-12 柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的性能影響分析

dolphin|瀏覽：5210|回復(fù)：2| qingshan018 2019-08-20 15:20:50

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