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氧化鎵資訊

GAAFET，新一輪半導體競賽

GAAFET...

氧化鎵 2025-04-08

第四代半導體，破曉時刻

3nm，是半導體市場的「熱搜關鍵詞」。光刻機，是眾人爭搶的「香餑餑」。第三代半導體，一出現就在資本市場掀起波瀾。而現在，這類技術的突破，給半導體賽道開啟新一輪熱潮。全球首顆 8 英寸氧化鎵單晶，中國造今年 3 月，杭州鎵...

氧化鎵 2025-04-08

國產氧化鎵技術斷崖式領先雷達性能讓400km內F22無所遁形

當隱形戰機愈來愈普遍后，使用新材料制作具備探測隱形戰機能力的雷達也迅速發展，中國企業最近發布全球首枚氧化鎵8英寸單晶并宣布進入量產，能讓配備這類先進技術的雷達對飛翼式隱身戰機探測距離達到200km，F-22這類5代戰機探...

氧化鎵雷達 2025-03-12

KAUST：超寬禁帶氧化鎵晶相異質結

在科技的快速發展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）先進半導體實驗室一項關于超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）晶相異質結（Phase Heteroju...

超寬禁帶氧化鎵 2025-02-18

下一代半導體氧化鎵器件光電探測器應用與測試

_____氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結構不同、制備工藝以及應用場景的不...

氧化鎵 Ga2O3 2024-11-13

第四代半導體氧化鎵蓄勢待發！

新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。鴻海入局氧化鎵近期媒體報道，鴻海...

第四代半導體氧化鎵 2024-08-26

氧化鎵專欄

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長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產

國產半導體設備加速崛起

上調100%！存儲市場又一重磅調價信號

插混車型成為“突破口”：中國車企在歐洲市場的銷量再創新高

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雙胞胎健康監測系統參考源碼

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稱重輸出演示2

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稱重輸出演示1

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