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GAAFET，新一輪半導體競賽

GAAFET...

氧化鎵 2025-04-08

第四代半導體，破曉時刻

3nm，是半導體市場的「熱搜關鍵詞」。光刻機，是眾人爭搶的「香餑餑」。第三代半導體，一出現就在資本市場掀起波瀾。而現在，這類技術的突破，給半導體賽道開啟新一輪熱潮。全球首顆 8 英寸氧化鎵單晶，中國造今年 3 月，杭州鎵...

氧化鎵 2025-04-08

國產氧化鎵技術斷崖式領先雷達性能讓400km內F22無所遁形

當隱形戰機愈來愈普遍后，使用新材料制作具備探測隱形戰機能力的雷達也迅速發展，中國企業最近發布全球首枚氧化鎵8英寸單晶并宣布進入量產，能讓配備這類先進技術的雷達對飛翼式隱身戰機探測距離達到200km，F-22這類5代戰機探...

氧化鎵雷達 2025-03-12

KAUST：超寬禁帶氧化鎵晶相異質結

在科技的快速發展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）先進半導體實驗室一項關于超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）晶相異質結（Phase Heteroju...

超寬禁帶氧化鎵 2025-02-18

下一代半導體氧化鎵器件光電探測器應用與測試

_____氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結構不同、制備工藝以及應用場景的不...

氧化鎵 Ga2O3 2024-11-13

第四代半導體氧化鎵蓄勢待發！

新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。鴻海入局氧化鎵近期媒體報道，鴻海...

第四代半導體氧化鎵 2024-08-26

中國科研團隊第四代半導體氧化鎵領域獲重要突破

近日，廈門大學電子科學與技術學院楊偉鋒教授團隊在第四代半導體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長技術和日盲光電探測器制備方面取得重要進展，為β-Ga2O3異質外延薄膜的大面積生長和高性能的器件應用提供了重要支持。β-Ga2O...

第四代半導體氧化鎵 2024-04-19

三菱電機投資氧化鎵功率半導體

3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續發展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴...

功率半導體氧化鎵 2024-04-03

碳化硅風頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發

近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進化半導體是以國際首創無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業，創立于2021年5月，專注于以創新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵...

碳化硅氧化鎵 2023-04-17

中國科大在氧化鎵半導體器件領域取得重要進展

IT之家 12 月 12 日消息，據中國科大發布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會) 近期在美國舊金山召開。I...

氧化鎵光電探測器 2022-12-13

電子產業未來的材料——氧化鎵（Ga2O3）

可以說，人類在20世界下半葉開始，絕大部分的科技成果都建立在電子計算機之上，而半導體材料，就是各類現代信息技術的基石。自上世紀50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導體材料為人類信息技術的高速發展走出了第一步；時間來到20世...

氧化鎵半導體 2022-08-19

第四代半導體材料呼之欲出 —— 氧化鎵或將站上C位

一般來說，半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。迄今為止，半導體材料主要分為：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳...

第四代半導體材料氧化鎵 2021-10-14

功率半導體氧化鎵到底是什么

　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一...

功率半導體氧化鎵 2018-12-26

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員...

SiC 講座 2016-10-16

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

SiC 講座 2012-05-02

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed......

氧化鎵 SiC 2012-04-22

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