功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

功率半導(dǎo)體

　　《功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。。查看更多>>

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功率半導(dǎo)體資訊

紫光國(guó)微收購(gòu)瑞能半導(dǎo)體，發(fā)力功率半導(dǎo)體領(lǐng)域

1月14日晚間，紫光國(guó)微發(fā)布了一份交易預(yù)案，計(jì)劃通過(guò)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式，向南昌建恩、北京廣盟、天津瑞芯、建投華科等14名交易方收購(gòu)瑞能半導(dǎo)100%股權(quán)，并向不超過(guò)35名特定投資者發(fā)行股份募集配套資金。公告顯示，此次...

紫光國(guó)微瑞能半導(dǎo)體 2026-01-16

中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)突破功率半導(dǎo)體封裝材料瓶頸

近日，西安建筑科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院新能源電氣材料與儲(chǔ)能技術(shù)培育團(tuán)隊(duì)提出了一種創(chuàng)新的“分子有序設(shè)計(jì)”策略。利用這種方法，該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種新型環(huán)氧樹(shù)脂封裝材料，該材料結(jié)合了超高導(dǎo)熱性和卓越的絕緣性能。該研究發(fā)表在《先進(jìn)功能材...

功率半導(dǎo)體封裝材料 2025-11-04

英飛凌PCIM Asia 2025展會(huì)：創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

全球功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)軍者英飛凌科技重磅亮相上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia 2025），現(xiàn)場(chǎng)展示了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，特別是在最受關(guān)注的AI服務(wù)器電源新架構(gòu)和汽車(chē)功率器件領(lǐng)域的先進(jìn)產(chǎn)...

英飛凌 PCIM Asia 2025-10-24

瑞薩電子采用下一代功率半導(dǎo)體為800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)供電

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構(gòu)的高效電源轉(zhuǎn)換和分配，推動(dòng)下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展。隨著GPU驅(qū)動(dòng)的AI工作負(fù)載日益密集，數(shù)據(jù)中心功耗攀升至數(shù)...

瑞薩功率半導(dǎo)體 2025-10-14

韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠(chǎng)，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬(wàn)片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭(zhēng)先?，F(xiàn)在，韓國(guó)也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開(kāi)啟了韓國(guó)首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠(chǎng)。據(jù)報(bào)道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

功率半導(dǎo)體，「優(yōu)等生」出列

近年來(lái)，新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電等產(chǎn)業(yè)持續(xù)擴(kuò)張，疊加寬禁帶半導(dǎo)體材料等新技術(shù)逐步落地，推動(dòng)功率半導(dǎo)體成為市場(chǎng)關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。富士經(jīng)濟(jì)曾在今年 4 月的報(bào)告中寫(xiě)道：功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在 2024 年受到庫(kù)存積壓的打擊。需求預(yù)計(jì)將...

功率半導(dǎo)體 2025-09-15