久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

標簽 漏極技術社區

漏極

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應管的結構原理： 在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很?。?，形成了兩個PN結。查看更多>>

  • 漏極資訊

漏極和源極之間產生的浪涌

ROHM 漏極 2023-06-27

上下拉電阻作用的引申―OC,OD門

OC OD 2018-08-16

基于漏極導通區特性理解MOSFET開關過程

MOSFET 漏極 2008-12-04
相關標簽