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標(biāo)簽 阻變存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

阻變存儲(chǔ)器

　　阻變式存儲(chǔ)器(resistive random access memory，RRAM)是以材料的電阻在外加電場作用下可在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的一類前瞻性下一代非揮發(fā)存儲(chǔ)器。它具有在32nm節(jié)點(diǎn)及以下取代現(xiàn)有主流Flash存儲(chǔ)器的潛力，成為目前新型存儲(chǔ)器的一個(gè)重要研究方向。　　圖1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)結(jié)構(gòu)示意圖，其上下電極之間是能夠發(fā)生電阻轉(zhuǎn)變的阻變層材料。在外加偏壓的作用下，器件的電阻會(huì)在高低阻態(tài)之間發(fā)生轉(zhuǎn)換，從而實(shí)現(xiàn)“0”和“1”的存儲(chǔ)。查看更多>>

  • 阻變存儲(chǔ)器資訊

全球首款28nm嵌入式RRAM畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片正式量產(chǎn)

顯芯科技 28nm 2024-09-09

最新阻變存儲(chǔ)器RRAM技術(shù)可在單芯片中存下1TB數(shù)據(jù)

阻變存儲(chǔ)器 RRAM 2013-08-13
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