久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

阻變存儲器

　　阻變式存儲器(resistive random access memory，RRAM)是以材料的電阻在外加電場作用下可在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的一類前瞻性下一代非揮發存儲器。它具有在32nm節點及以下取代現有主流Flash存儲器的潛力，成為目前新型存儲器的一個重要研究方向。　　圖1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)結構示意圖，其上下電極之間是能夠發生電阻轉變的阻變層材料。在外加偏壓的作用下，器件的電阻會在高低阻態之間發生轉換，從而實現“0”和“1”的存儲。

  • 阻變存儲器資訊

全球首款28nm嵌入式RRAM畫質調節芯片正式量產

顯芯科技 28nm 2024-09-09

最新阻變存儲器RRAM技術可在單芯片中存下1TB數據

阻變存儲器 RRAM 2013-08-13
相關標簽