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2048-PB03-RDS資訊

無需鉗位電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測(cè)量技術(shù)

_____動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測(cè)量技術(shù)的知識(shí)體系仍相對(duì)較新。傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測(cè)量漏...

動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 RDS(on)測(cè)量 2025-09-10

如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！

SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元...

Qorvo RDS 2023-09-18

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案...

IC RDS(on) 2020-07-17

英飛凌 650 V CoolSiC? MOSFET 系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控...

RDS 柵極驅(qū)動(dòng)器 2020-03-22

Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在貿(mào)澤開售

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售?Maxim Integrated?的MAX22701E?隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。MAX22701E 是MAX2270...

UPS RDS 2020-03-21

安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低...

安世半導(dǎo)體 MOSFET 2020-02-19

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