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華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái) 成功量產(chǎn)

華虹半導(dǎo)體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。...

華虹 90納米 2019-06-28

華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司 (“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團(tuán)”，股份代號(hào)：1347.HK) 今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (90n...

華虹 90納米 2017-12-27

華虹半導(dǎo)體90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，基于該平臺(tái)制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，具有很強(qiáng)的...

華虹 90納米 2016-04-08

中國(guó)半導(dǎo)體已到從量變走向質(zhì)變的臨界點(diǎn)

中國(guó)半導(dǎo)體量變了這么多年了，始終沒(méi)看到質(zhì)的進(jìn)步。或許業(yè)內(nèi)人士說(shuō)，我們跟人家差的太遠(yuǎn)了，我們始終在追趕的路上，抬頭發(fā)現(xiàn)別人早已加速。但是我們并沒(méi)有放棄，依然在充滿荊棘的路上努力前行。量變引起質(zhì)變的臨界點(diǎn)來(lái)了嗎？...

半導(dǎo)體 90納米 2014-01-20

力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

　　內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現(xiàn)不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之...

力晶芯片 2011-12-08

全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)

　　全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合...

全球晶圓 90納米 2010-09-06

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90納米

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華虹半導(dǎo)體90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

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