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基于超薄外延技術的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設計

摘要：文中針對高壓節能應用領域，開發了一種基于超薄外延技術的雙擴散BCD兼容工藝，實現了一種新型D-RESURF結構的700V LDMOS設計。結構中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區長度縮減至70mu;m，使得...

D-RESURF LDMOS 2011-04-11

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