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GaAsSb雙異質結雙極晶體管集成電路DHBT技術

Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統的高性能GaAsSb基區，InP集電區 DHBT IC 工藝被成功研發。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時fT...

DHBT 技術 2012-01-20

一種用于射頻和微波測試系統的GaAsSb雙異質結雙極晶體管集成電路DHBT技術

Abstract― 一種用于射頻和微波測試系統的高性能GaAsSb基區，InP集電區 DHBT IC 工藝被成功研發。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/µm²時fT 和 f...

晶體管集成電路 2010-05-15

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