EEPW
技術(shù)應(yīng)用
HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極) HKMG的優(yōu)勢和缺點 優(yōu)勢:不管使用Gate-first和Gate-last哪一種工藝,制造出的high-k絕緣層對提升晶體管的性能均有重大的意義。high-k技術(shù)不僅能夠大幅減小柵極的漏電量,而且由于high-k絕緣層的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxidethickness)較薄,因此還能有效降低柵極電容。這樣晶體管的關(guān)鍵尺寸便能得到進一步的縮小,而管子的驅(qū)動能力也能得到有效的改善。 缺點:不過采用high-k絕緣層的晶體管與采用硅氧化物絕緣層的晶體管相比,在改善溝道載流子遷移率方面稍有不利。查看更多>>
HBM4競爭格局生變
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