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金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MESFET metal-semiconductor FET 金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，又稱肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是利用金屬半導(dǎo)體接觸（或肖特基結(jié)）作為柵極結(jié)構(gòu)，通過(guò)柵極（相對(duì)于源極）電壓調(diào)制源、漏極間電導(dǎo)而構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 1、分類按溝道種類：N溝道MESFET P溝道MESFET 按工作模式：耗盡型（D型）MESFET（常開(kāi)型）---零柵壓時(shí)有溝道存在 &nbs…… + 查看全文 金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，又稱肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是利用金屬半導(dǎo)體接觸（或肖特基結(jié)）作為柵極結(jié)構(gòu)，通過(guò)柵極（相對(duì)于源極）電壓調(diào)制源、漏極間電導(dǎo)而構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 1、分類 按溝道種類：N溝道MESFET P溝道MESFET 按工作模式：耗盡型（D型）MESFET（常開(kāi)型）---零柵壓時(shí)有溝道存在 增強(qiáng)型（E型）MESFET（常閉型）---零柵壓時(shí)無(wú)溝道存在 2、特點(diǎn) 電流傳輸只由多數(shù)載流子承擔(dān)，不存在少數(shù)載流子儲(chǔ)存效應(yīng)，有利于提高頻率和開(kāi)關(guān)速度。 為電壓控制型器件，輸入信號(hào)為電壓 高輸入阻抗，相當(dāng)于肖特基結(jié)反偏時(shí)的阻抗。查看更多>>