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MOS場效應(yīng)管

　　MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。 　　MOS場效應(yīng)管主要特點(diǎn)： 　　在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。查看更多>>

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