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SOI

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過(guò)在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì)，因此可以說(shuō)SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)。 通常根據(jù)在絕緣體上的硅膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結(jié)構(gòu)和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結(jié)構(gòu)。由于SOI的介質(zhì)隔離，制作在厚膜SOI結(jié)構(gòu)上的器件正、背界面的耗盡層之間不互相影響，在它們中間存在一中性體區(qū)，這一中性體區(qū)的存在使得硅體處于電學(xué)浮空狀態(tài)，產(chǎn)生了兩個(gè)明顯的寄生效應(yīng)，一個(gè)是"翹曲效應(yīng)"即Kink 效應(yīng)，另一個(gè)是器件源漏之間形成的基極開(kāi)路NPN寄生晶體管效應(yīng)。查看更多>>

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