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SOI

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術。 通常根據在絕緣體上的硅膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結構和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結構。由于SOI的介質隔離，制作在厚膜SOI結構上的器件正、背界面的耗盡層之間不互相影響，在它們中間存在一中性體區，這一中性體區的存在使得硅體處于電學浮空狀態，產生了兩個明顯的寄生效應，一個是"翹曲效應"即Kink 效應，另一個是器件源漏之間形成的基極開路NPN寄生晶體管效應。

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