EEPW
技術應用
GAAFET是(Gate-all-around FETs)采用的是納米線溝道設計,溝道整個外輪廓都被柵極完全包裹,代表柵極對溝道的控制性更好。相比之下,傳統的FinFET 溝道僅3 面被柵極包圍。GAAFET 架構的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性,可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表現在同等尺寸結構下,GAA 的溝道控制能力強化,尺寸可以進一步微縮。查看更多>>
HBM4競爭格局生變
長江存儲進入加速期,三期項目計劃今年建成投產
國產半導體設備加速崛起
上調100%!存儲市場又一重磅調價信號
插混車型成為“突破口”:中國車企在歐洲市場的銷量再創新高
2026-02-13 XMOS 語音交互
2026-02-13 英飛凌 陽光電源
2026-02-13 Ceva Wi-Fi 6 IP 藍牙IP 瑞薩 組合式MCU
2026-02-13 測試測量 Pickering 信號開關與仿真
2026-02-13 羅蘭貝格 Jonas Andrulis 人工智能應用
2026-02-13 應用材料公司 2026財年第一季度
2026-02-13 平板市場 國補 換機
2026-02-13 PCB
2026-02-13 PCB 硅谷
2026-02-13 安世半導體 聞泰科技