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GAAFET

GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是納米線溝道設計，溝道整個外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對溝道的控制性更好。相比之下，傳統的FinFET 溝道僅3 面被柵極包圍。GAAFET 架構的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表現在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力強化，尺寸可以進一步微縮。

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