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標(biāo)簽

VDMOS技術(shù)社區(qū)

VDMOS

　　垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管　　VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)，無論是開關(guān) 　　應(yīng)用還是線形應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要　　應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音　　響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。　　特征: 　　接近無限大的靜態(tài)輸入阻抗特性，非常快的開關(guān)時(shí)間，導(dǎo)通　　電阻正溫度系數(shù)，近似常數(shù)的跨導(dǎo)，高dV/dt。　　。查看更多>>

全部資訊電路論壇

VDMOS資訊

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為......

SJ-MOS VDMOS 2012-12-11

基于Arrhenius模型快速評(píng)價(jià)功率VDMOS可靠性

0 引言　　垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場(chǎng)（VDMOS）效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導(dǎo)體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在...

Arrhenius VDMOS 2012-05-07

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semicond...

研究設(shè)計(jì) 2011-12-28

大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)研究

摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)方法。對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時(shí)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證和優(yōu)化。設(shè)計(jì)中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)...

研究設(shè)計(jì) 2011-12-20

功率直流無刷電機(jī)的控制器VDMOS正確使用

在電動(dòng)自行車?yán)铮绷鳠o刷電機(jī)的逆變器由六個(gè)功率VDMOS管和六個(gè)續(xù)流二極管組成，六個(gè)續(xù)流二極管分別寄生在這六個(gè)VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個(gè)VDMOS管。這六個(gè)VDMOS管通過大電流，它們的輸出直接是定子的繞...

正確使用 2011-12-15

一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)的研究

...

VDMOS 寄生電容 2009-12-04

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查看更多>> VDMOS電路方案

國產(chǎn)VDMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖

采用LAS6350與VDMOS器件制作升壓電路

05-22 功率直流無刷電機(jī)的控制器VDMOS正確使用

一本教科書|瀏覽：3744|回復(fù)：6| 紅塵夢(mèng)醒一醉 2015-12-25 13:35:19

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上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)

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