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技術(shù)應(yīng)用
目錄Top[url]概述 設(shè)計(jì) 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) [/url] 概述 針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下: (1)功耗和發(fā)熱量較小:吸取了DDR2的教訓(xùn),在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長的缺點(diǎn),同時(shí)還可作為顯卡的賣點(diǎn)之一,這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。 (3)降低顯卡整體成本:DDR2顯存顆粒規(guī)格多為4M X 32bit,搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit,單顆顆粒容量較大,4顆即可構(gòu)成128MB顯存。查看更多>>
HBM4競爭格局生變
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