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high-k技術社區

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　　High-K究竟是什么神奇的技術？這要從處理器的制造原料說起。　　由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善晶體管效能，因此過去40余年來，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作閘極電介質的材料。　　當英特爾導入65納米制造工藝時，雖已全力將二氧化硅閘極電介質厚度降低至1。2納米，相當于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時，耗電和散熱亦會同時增加，產生電流浪費和不必要的熱能，因此若繼續采用目前材料，進一步減少厚度，閘極電介質的漏電情況勢將會明顯攀升，令縮小晶體管技術遭遇極限。查看更多>>

全部資訊資料電路論壇

high-k資訊

4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備

目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現有的EUV設備實現晶圓的大規模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節點 —— 即1.4nm與1nm...

臺積電 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2納米時代的唯一道路

半導體行業正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節點小型化的明確路徑,現在正在與其他選項進行權衡。盡...

High-NA 2納米 2025-09-18

SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備

據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半導體巨頭對high-NA EUV態度分化

據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出...

半導體 high-NA EUV 2025-07-01

臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用

全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評估何時將 ASML 的尖端高數值孔徑（NA）機器用于其未來的工藝節點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和...

臺積電 ASML 2025-05-28

英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產

據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程...

英特爾 ASML 2025-02-26

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低通濾波器電路

High-end A4監聽音箱的制作

一種適合膽機的高壓延時電路-----high voltage delay circuit

Solid State Tesla Coil/High Voltage Generator-----高壓發生器電路

WQFN-32L 5x5

RT8488應用電路（High Voltage 6-CH LED Driver Controller）

High-Performance, 32-Bit Micro

5,000Wultra-light,high-poweramplifier,withoutswitching-modepowersupply

高通濾波器電路(High-passfilter)

high-k資料

The Need for Dynamic Phase Alignmentin High-Speed FPGAs

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High-Speed Serial IO Made simple

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High-speed Digital Design - A handbook of black magic.pdf

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