EEPW
技術(shù)應(yīng)用
光刻(photoetching)是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝在此之后,晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去的部分可能形狀是薄膜內(nèi)的孔或是殘留的島狀部分。 光刻工藝也被稱為大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或micr 光刻 olithography。在晶圓的制造過程中,晶體三極管、二極管、電容、電阻和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內(nèi)構(gòu)成。
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