EEPW
技術應用
光刻(photoetching)是通過一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝在此之后,晶圓表面會留下帶有微圖形結構的薄膜。被除去的部分可能形狀是薄膜內的孔或是殘留的島狀部分。 光刻工藝也被稱為大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或micr 光刻 olithography。在晶圓的制造過程中,晶體三極管、二極管、電容、電阻和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內構成。
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