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Imec利用極紫外光刻技術對固態納米孔進行縮放

Imec在將固態納米孔技術從實驗室帶入大規模生產方面邁出了重要一步。在IEDM 2025上，比利時研發中心展示了首次成功利用極紫外（EUV）光刻技術在晶圓級制造固態納米孔。這一發展凸顯了前沿CMOS工藝在主流芯片擴展之外...

光刻技術半導體 2025-12-19

半導體設備市場隨著光刻技術的進步而增長

2025年全球半導體資本設備市場規模為1160億美元，預計到2034年將達到2105.8億美元左右，2025年至2034年復合年增長率為6.85%。到 2024 年，北美市場規模將超過 510.2 億美元，并在預測期內以...

半導體設備 2025-07-30

Inversion Semiconductor旨在實現更明亮、更快速的光刻技術

Inversion Semiconductor Inc.（加利福尼亞州舊金山）是一家 2024 年的初創公司，計劃利用粒子加速為下一代光刻技術開發更亮、更可調的光源。該公司表示，與現有系統相比，它將能夠以高達 15 倍的...

Inversion Semiconductor 光刻技術 2025-05-28

臺積電避免使用高NA EUV光刻技術

根據臺積電北美技術研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm）工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預計將于 2028 年投產。之前已經說過，A16 工藝將于...

臺積電高NA 2025-04-30

ASML：3D整合將成為2D收縮日益重要的補充技術

據媒體報道，3月5日，ASML發布2024年度報告，首席執行官克里斯托弗·福凱（Christophe Fouquet）表示，如果展望ASML的未來增長，光刻技術無疑仍然是摩爾定律的主要驅動力之一，相信這一點在未來許多年里...

ASML 2D shrink 2025-03-06

國產光刻膠通過量產驗證

據中國光谷官微消息，近日，武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產品，已通過半導體工藝量產驗證，實現配方全自主設計，有望開創國內半導體光刻制造新局面。據悉，該產品對標國際頭部企業主流...

太紫微光電光刻膠 2024-10-16

改變?摩爾定律的未來是粒子加速器嗎？

位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術可能會更便宜、更快、更高效。...

摩爾定律粒子加速器 2024-06-26

與EUV相比，這一光刻技術更具發展潛力

對于半導體行業而言，光刻技術和設備發揮著基礎性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設計好的圖形從掩模版轉印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術。光刻技術最先應用于印刷工業，之后長期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代...

EUV 光刻技術 2023-06-25

美光：成功繞過了EUV光刻技術

本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高...

美光 EUV 2022-11-06

中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷

　　今年7月，在中國科學院官網上發布了一則研究進展，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發表了題為《超分辨率激光光刻技術制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Elec...

中科院光刻技術 2020-12-02

中科院：光刻技術是國內外集成電路領域差距最大的環節

9月17日，2019中國集成電路設計大會在青島市嶗山區正式召開，中科院院士劉明在演講中指出，國內的光刻技術與國外.........

光刻技術集成電路 2019-09-18

IMEC總裁：半導體讓未來世界更加美好

　　來自比利時的IMEC總裁LucVandenhove博士在2012年中國國際半導體技術大會(CSTIC2012)上帶來精彩的視頻動畫，將會議現場的人們帶到了2020年，使觀眾身臨其境感受未來的互聯時代。　　IMEC...

半導體光刻技術 2012-03-21

誰才是IC大佬們的光刻技術最愛？

　　臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業的死對頭，不過他們對付彼此的戰略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(至少從對外...

臺積電光刻技術 2011-03-20

英特爾專家揭示IC制程微縮所面臨的五大挑戰

芯片尺寸在接下來的幾年將持續微縮，不過芯片制造商也面臨許多挑戰。在美國舊金山舉行的國際固態電路會議(ISSCC)上，英特爾(Intel...

英特爾光刻技術 2009-02-16

光刻技術最新進展

2004年6月A版　　在摩爾定律的指引下，半導體工業每兩至三年就跨上一個新的臺階，即所謂的半導體技術發展路線圖(ITRS)。預計2004年進入90nm節點器件的批量生產，到2007年為65nm。然而這一切變化的關鍵是...

光刻技術其他IC 2004-10-26

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光刻技術