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雙極性晶體管

目錄·簡介·操作模式·順向主動區(qū)(Forward active region)·飽和區(qū)(Saturation region)·截止區(qū)(Cutoff region)·制作考量·原理與模型·小信號模型·h參數(shù)模型雙載子接面晶體管(Bipolar Junction Transistor,又稱雙極晶體管、雙載子接面三極管)根據(jù)不同的摻雜方式,在同一硅芯片上,制造出三個摻雜區(qū)域,形成兩個 P-N 結(jié)。 基本上依照極性可分成NPN 、PNP 兩種類。 以 NPN 晶體管為例:在雙載子接面晶體管里,雖然基極內(nèi)的電洞較多,是多數(shù)載子。但是電流的傳遞,主要卻是透過基極里的少數(shù)載子(即電子)來完成的,也因此 BJT 被稱做少數(shù)載子元件(minority-carrier devices)。

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