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FET

fetTop　　FET:場效應(yīng)管　　根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件　　-------------------------------------------------------------- 　　1。概念: 　　場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。查看更多>>

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FET資訊

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

幾十年來，硅一直是電力電子領(lǐng)域無可爭議的領(lǐng)導(dǎo)者。但隨著硅達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進(jìn)展。憑借更快的開關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實現(xiàn)了系統(tǒng)級成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計注意事項

鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和...

瑞薩電子 AI數(shù)據(jù)中心 2025-07-08

瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型...

瑞薩 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總...

GaN FET 衛(wèi)星電源 2025-07-01

探索TI GaN FET在類人機(jī)器人中的應(yīng)用

類人機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機(jī)器人內(nèi)空間受限最大...

TI GaN 2025-06-15

FET專欄

Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驅(qū)動器解決方案

新時代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.發(fā)布了一款高效能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UP...

FET GAN 2023-06-28

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