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瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12

瑞薩電子推出用于AI數據中心、工業及電源系統的全新GaN FET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和...

瑞薩電子 AI數據中心 2025-07-08

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型...

瑞薩 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高電壓的衛星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛星制造商過渡到更高電壓的電源總...

GaN FET 衛星電源 2025-07-01

探索TI GaN FET在類人機器人中的應用

類人機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內空間受限最大...

TI GaN 2025-06-15

GaN FET在人形機器人中的應用

引言人形機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限...

GaN FET 人形機器人 2025-04-29

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。...

cascode FET 2025-03-26

Nexperia擴展GaN FET產品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業...

Nexperia GaN FET 2025-03-19

緩沖反激式轉換器

本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉換器，探討如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉換器導通時緩沖輸出整流器的電壓。現在，我們看一下如何在反激式轉換器中緩沖 FET ...

FET 反激式轉換器 2024-12-10

用Python自動化雙脈沖測試

電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動...

202411 寬禁帶 2024-10-18

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應...

202407 太陽能 2024-07-15

GaN FET讓您實現高性能D類音頻放大器

D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現優越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考...

GaN FET D類音頻放大器 2024-04-10

測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路...

氮化鎵 FET 2024-04-09

EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET

全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上...

EPC 1mΩ 2024-03-05

適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合...

自主駕駛 LiDAR 2024-02-27

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能

中國北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 ...

Qorvo SiC FET 2024-01-30

EPC GaN FET可在數納秒內驅動激光二極管，實現75~231A脈沖電流

宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181...

EPC GaN FET 激光二極管 2024-01-18

Nexperia針對工業和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年...

Nexperia SMD 2023-12-11

FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優點，對于此類傳感器的研究和開發進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時診斷，環境應用，以...

泰克科技 FET 2023-11-21

EPC新推100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器,用于電動自行車、機器人和無人機

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。&nbs...

EPC GaN FET 2023-11-08

更小、更快、更節能，半導體芯片迎大突破

最先進的電子硬件在大數據革命面前都顯得有些“捉襟見肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個方面。隨著數據集的存儲、搜索和分析越來越復雜，這些設備就必須變得更小、更快、更節能，以跟上數據創新的步伐。鐵電場效應晶體管（F...

半導體芯片 FE-FET 2023-07-17

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發布了一款高性能、低成本的驅動器解...

Transphorm SuperGaN FET 2023-06-16

使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開爾文連接技術以解決電感問題。這篇博客文章...

Qorvo 開爾文 2023-05-31

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動器參考設計

基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實現更長的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅...

EPC GaN FET 2023-05-11

Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級...

Nexperia E-mode GAN FET 2023-05-10

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性

當今行業中發現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET...

柵極 FET 2023-04-10

連接與電源：新Qorvo為行業提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向...

Qorvo Matter 2023-03-28

貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的...

貿澤 D2PAK-7L 2022-09-23

UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該...

UnitedSiC Qorvo 2022-08-04

UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產品組合

Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和...

UnitedSiC Qorvo 2022-07-27

GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產...

GaN FET 2022-07-15

貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應用提供更好的支持

提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 ...

SiC FET 2022-06-09

UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業先進的高性能1200V第四代SiC FET

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系...

Mentor P Qorvo 2022-05-18

UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業先進的高性能 1200 V第四代SiC FET

SiC FET 2022-05-17

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須...

SiC FET PFC 2021-05-31

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構

GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。...

3nm FinFET GAA FET 2021-05-26

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業應用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業電源，可以實現2倍的功率密度和高達99%的效率。T...

GaN FET 2020-11-17

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

嚴苛的汽車和工業環境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩壓器，與傳統控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率...

EMI FET 2020-08-05

電源管理設計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇

離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產品數量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時，反...

BOM FET 2020-06-08