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柵極

由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細絲網(wǎng)或螺旋線的形狀，插在電子管另外兩個電極之間，起控制板極電流強度、改變電子管性能的作用。　　在場效應管中，柵極是由英文gate electrode翻譯而來的。位置類似于晶體三極管中的Gate。查看更多>>

前沿之聲 | 從電網(wǎng)到柵極：賦能第三次能源革命

一種范式轉(zhuǎn)變正在我們眼前發(fā)生。在 18 世紀和 19 世紀，大不列顛使用煤來為工業(yè)革命提供動力，推動向機器制造轉(zhuǎn)型，第一次能源革命也因此開啟。隨后在美國發(fā)生了第二次能源革命，20 世紀石油產(chǎn)業(yè)的繁榮推動了汽車和電力領(lǐng)域取...

TI 電網(wǎng) 2025-11-14

干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項

IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與...

IGBT 柵極 2023-07-27

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性

當今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET...

柵極 FET 2023-04-10

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時

具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低...

ROHM 橋式結(jié)構(gòu) 2022-11-23

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導通時

在功率開關(guān)器件最常見的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動...

羅姆柵極 2022-10-26

業(yè)界大哥大——英特爾

半導體制程工藝上，英特爾要是說第二，那沒人敢說第一。晶圓制造這個圈子，英特爾毫無疑問處于第一流，其他廠商包括IBM，英飛凌，NEC，意法半導體以及東芝等公司，以及目前半導體代工行業(yè)的老大老二老三——臺積電、GlobalF...

英特爾半導體 2015-10-19

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柵極

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VT1412：柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵應用和拓撲

VT1411：柵極驅(qū)動器的保護功能

VT1410：基于數(shù)據(jù)手冊確定柵極驅(qū)動強度

VT1409：柵極驅(qū)動器時序、CMTI和EMI的取舍

VT1408：如何選擇隔離式柵極驅(qū)動器

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如何給運動控制選擇Mosfet驅(qū)動器，你知道嗎？

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MOSFET柵極驅(qū)動電路設計注意事項

7種MOS管柵極驅(qū)動電路

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MOSFET柵極驅(qū)動電路的應用

6J8P柵極輸入膽前級電路圖

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