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E-mode GAN FET技術(shù)社區(qū)

E-mode GAN FET

E-mode GAN FET技術(shù)社區(qū)為您提供最新的E-mode GAN FET相關(guān)技術(shù)資訊、E-mode GAN FET的技術(shù)資料、E-mode GAN FET的電路設(shè)計(jì)方案、E-mode GAN FET的視頻資料、E-mode GAN FET的相關(guān)元器件資料以及E-mode GAN FET的技術(shù)應(yīng)用。

全部資訊專欄資料電路論壇

E-mode GAN FET資訊

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長(zhǎng)

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場(chǎng)氮...

英飛凌 GaN 2026-02-11

臺(tái)積電向世界先進(jìn)與格芯授權(quán)GaN技術(shù)

在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動(dòng)下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長(zhǎng)期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2024年的3.9億美元快速增長(zhǎng)至2030年的35.1億美元，年復(fù)...

臺(tái)積電格芯 2026-02-02

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而...

安森美 GaN 2026-01-19

在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)

本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動(dòng)器和控制器的優(yōu)勢(shì)。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望...

開關(guān)模式電源氮化鎵 2025-12-15

借助TOLL GaN突破太陽能系統(tǒng)的界限

太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)...

TOLL GaN 太陽能系統(tǒng) 2025-12-12

技術(shù)干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽能系統(tǒng)的界限

太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)...

TI TOLL 2025-12-11

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E-mode GAN FET專欄

又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

據(jù)比利時(shí)媒體報(bào)道，歐洲領(lǐng)先的 GaN（氮化鎵）汽車半導(dǎo)體代工廠 BelGaN 已申請(qǐng)破產(chǎn)，目前該公司位于佛蘭德省奧德納德市總部的 440 名員工面臨失業(yè)。BelGaN團(tuán)隊(duì)和工廠于1983年以MIETEC的名義成立，后來被...

GaN 2024-08-04

TI 電源應(yīng)用研討會(huì) 揭密高效節(jié)能新未來

日前TI舉辦電源應(yīng)用研討會(huì)，探索了包括先進(jìn)GaN電源設(shè)計(jì)、高效電源轉(zhuǎn)換、以及擴(kuò)充電源范圍（EPR）技術(shù)等議題，吸引近四百位產(chǎn)業(yè)界先進(jìn)蒞臨參加，助力客戶開發(fā)出更節(jié)能、更高效的新產(chǎn)品。TI 為滿...

EPR GaN 2023-09-07

40 V耐輻射GaN FET為苛刻的航空航天應(yīng)用設(shè)定新的效能標(biāo)準(zhǔn)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出兩款額定電流為62 A和250 A的新型40 V元件，以擴(kuò)展其用于功率轉(zhuǎn)換解決方案的耐輻射氮化鎵（GaN）產(chǎn)品系列，支持航太和其他高可靠性應(yīng)用。EPC宣布推出兩款新型40 V耐輻射GaN F...

EPC GaN 2023-08-03

Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案

新時(shí)代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.發(fā)布了一款高效能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UP...

FET GAN 2023-06-28

GAN重出江湖！中國團(tuán)隊(duì)搶先開源“復(fù)刻版”DragGAN，AI一鍵實(shí)現(xiàn)“大象轉(zhuǎn)身”

李白實(shí)驗(yàn)室搶先開源「復(fù)刻」版DragGAN文|硅星人編輯| VickyXiao 在大家沉迷于Midjourney、Stable Diffusion 技術(shù)中無法自拔時(shí)，一時(shí)被人遺忘的GAN...

GAN 2023-06-07

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

來源：安森美NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB...

GaN 2023-02-20

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在 DCDC 電源設(shè)計(jì)中選擇帶FEI的芯片還是不帶的方案？

使用高壓 GaN 器件提高電源可靠性

數(shù)字電源控制推進(jìn) GaN PFC 設(shè)計(jì)

高端 FET 負(fù)載開關(guān)入門第 1 部分

高端 FET 負(fù)載開關(guān)入門第 2 部分

動(dòng)態(tài)測(cè)試證實(shí)了 SiC 開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

基于FET的100W功率音頻放大器電路圖

基于FET的100W音頻放大器電路圖

E-mode GAN FET資料

Qorvo UF3C065030B3 650 V、27毫歐姆碳化硅(SiC) FET產(chǎn)品

Qorvo 碳化硅 2024-08-08 立即下載

英飛凌EiceDRIVER柵極門極驅(qū)動(dòng)選型指南.pdf

英飛凌 GaN EiceDRIVER 2024-07-17 立即下載

產(chǎn)品簡(jiǎn)介英飛凌GaN EiceDRIVER? 系列.pdf

英飛凌 GaN EiceDRIVER 2024-07-17 立即下載

Designing Stable Compensation Networks for Single Phase Voltage Mode Buck Regulators

Designing Stable Compensation Networks for Single Phase Voltage Mode Buck Regulators 2023-01-30 立即下載

泰克 IsoVu 測(cè)量系統(tǒng)幫助松下半導(dǎo)體明顯縮短新型 GaN 器件的開發(fā)時(shí)間

泰克 IsoVu 2022-04-02 立即下載

GaN電源EMC優(yōu)化設(shè)計(jì)

GaN PD 2020-06-27 立即下載

一種基于GaNpower半導(dǎo)體的GaN MOS設(shè)計(jì)的150W PC電源應(yīng)用電路

GaN PD 2020-06-27 立即下載

GaN（氮化鎵）將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步

GaN 電源 2015-04-13 立即下載

提高單極PFC方法

GAN 氮化鎵MOSFET 2014-10-23 立即下載

LLC電路采用氮化鎵MOSFET大大提高效率

LLC GAN 2014-10-23 立即下載

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E-mode GAN FET論壇

10-26 M480芯片tri-state指的是什么模式？

abgh668|瀏覽：691|回復(fù)：1| 2220193197 2024-10-26 21:55:40

08-02 GaN是否可靠？

睡夢(mèng)中的雄師|瀏覽：1274|回復(fù)：5| suncat0504 2022-08-20 18:39:54

07-09 救世主GaN來了！第1部分：體二極管反向恢復(fù)。

TI宣傳員|瀏覽：1119|回復(fù)：0| TI宣傳員 2022-07-09 11:20:31

07-09 救世主GaN來啦！第二部分：測(cè)量

TI宣傳員|瀏覽：1420|回復(fù)：3| zhangjsh 2022-07-09 14:42:36

04-12 【轉(zhuǎn)】6吋氮化鎵單晶面世！關(guān)鍵技術(shù)揭秘

浮沉1988|瀏覽：1950|回復(fù)：5| 船長(zhǎng)demons 2022-04-12 23:18:38

03-24 EMI的工程師指南第5部分—采用集成FET設(shè)計(jì)的EMI抑制技術(shù)

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03-24 EMI的工程師指南第6部分—采用離散FET設(shè)計(jì)的EMI抑制技術(shù)

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02-04 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaNFET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

TI宣傳員|瀏覽：3452|回復(fù)：26| Fretwell 2022-02-06 15:06:01

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ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

2026-02-04

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

2025-12-25

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——智能工廠專場(chǎng)

2025-12-24

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——汽車電子專場(chǎng)

2025-12-23

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