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寬禁帶半導體

固體中電子的能量具有不連續的量值，電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。硅的禁帶寬度為1。

為未來提供動力：寬禁帶半導體的興起

寬禁帶半導體，尤其是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），正在徹底改變電力電子領域。這些材料具有更高的效率、更快的開關和緊湊的設計，對于滿足電動汽車（EV）、超快速充電基礎設施和可再生能源系統不斷增長的需求至關重要...

寬禁帶半導體 2025-08-15

2025年至2034 年寬禁帶（WBG）半導體市場規模及預測

2025年全球寬禁帶（WBG）半導體市場規模預計為24.4億美元，預計到2034年將達到84.2億美元左右，2025年至2034年復合年增長率為14.74%。到 2024 年，北美市場規模將超過 9.8 億美元，并在預測...

寬禁帶半導體 WBG 2025-07-29

是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現動態測試

●? ?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態特性●? ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試●? ?寄生功率回路電感小于10nH，實現干凈的動態測試波形是德科技在寬禁帶半導體裸片上...

是德科技寬禁帶半導體 2025-03-24

什么是寬禁帶半導體？

禁帶寬度和電場強度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導率和熔點越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開關速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應用領...

寬禁帶半導體 2023-05-08

力科發布更精確的寬禁帶半導體分析測量系統

力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 (HDO) 結合使用時，可提供最準確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導體器件的電氣特性表征。三十多年來，工程...

力科寬禁帶半導體 2022-04-22

英飛凌將投資逾20億歐元擴大寬禁帶半導體產能

英飛凌將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之后，新廠區將用于生產碳化硅和氮化鎵功率半導體產品，每年可...

英飛凌寬禁帶半導體 2022-02-23

英諾賽科寬禁帶半導體項目完成主體施工

據看看新聞網報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發，材料制造...

英諾賽科寬禁帶半導體 2020-06-01

從1998年至2018年寬禁帶半導體材料研究報告

　　寬禁帶半導體材料也被稱為第三代半導體材料(一代和二代分別為硅、鍺)，其帶隙大于或等于2.3 eV。寬禁帶半導體材料一般具有電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好等特點，受到了研究者廣泛研究。傳統的寬禁帶半導體有S...

寬禁帶半導體 2018-04-26

第三代半導體技術、應用、市場全解析

第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著半導體器件應用領域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無能為力，于是賦予使...

寬禁帶半導體 SiC 2016-12-02

相控陣雷達性能的基石：寬禁帶半導體

　　現代電子產品的基礎是半導體器件，因此半導體器件的性能就決定了整個電子產品的性能，所謂半導體就是導電性能介于導體和絕緣體之間的物理器件。最開始時，人們對這些物質并不感興趣，后來才發現半導體的獨特性能，有導體和絕緣體不可...

相控陣雷達寬禁帶半導體 2016-04-29

電子行業:寬禁帶半導體即將形成板塊效應

　　報告起因　　國內上市公司紛紛涉足寬禁帶半導體,我們從三大維度看好:實現國家戰略層面的彎道超車:半導體行業實現技術升級以及股票層面將形成板塊效應,我們此前的三安光電報告是市場第一篇詳細描述化合物半導體的深度報告。此...

寬禁帶半導體 2015-04-23

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