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2025年全球寬禁帶（WBG）半導體市場規模預計為24.4億美元，預計到2034年將達到84.2億美元左右，2025年至2034年復合年增長率為14.74%。到 2024 年，北美市場規模將超過 9.8 億美元，并在預測...

寬禁帶半導體 WBG 2025-07-29

雙脈沖測試將在電力電子的未來中發揮關鍵作用。電源設計人員和系統工程師依靠它來評估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導體在動態條件下的開關特性。通過評估開關期間的功率損耗和其他指標，這些測試使工程師能夠優化最新電源轉換...

動態測試 WBG 2025-04-03

從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方...

WBG SiC 2024-12-10

對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任...

SiC MOSFET 2023-10-18

減少能源轉換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個切實可靠的節能降耗解決方案，可以通過系統方式減少碳足跡來減輕技術對環境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 ...

202207 寬帶隙 2022-07-22

受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在S...

意法半導體寬帶隙 2022-07-18

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