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2025年至2034 年寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體市場規(guī)模及預(yù)測

2025年全球?qū)捊麕В╓BG）半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計為24.4億美元，預(yù)計到2034年將達(dá)到84.2億美元左右，2025年至2034年復(fù)合年增長率為14.74%。到 2024 年，北美市場規(guī)模將超過 9.8 億美元，并在預(yù)測...

寬禁帶半導(dǎo)體 WBG 2025-07-29

動態(tài)測試WBG功率半導(dǎo)體裸片

雙脈沖測試將在電力電子的未來中發(fā)揮關(guān)鍵作用。電源設(shè)計人員和系統(tǒng)工程師依靠它來評估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導(dǎo)體在動態(tài)條件下的開關(guān)特性。通過評估開關(guān)期間的功率損耗和其他指標(biāo)，這些測試使工程師能夠優(yōu)化最新電源轉(zhuǎn)換...

動態(tài)測試 WBG 2025-04-03

碳化硅可靠性驗證要點

從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶（WBG）解決方...

WBG SiC 2024-12-10

SiC MOSFET 器件特性知多少？

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任...

SiC MOSFET 2023-10-18

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體: 切實可靠的節(jié)能降耗解決方案

減少能源轉(zhuǎn)換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體是一個切實可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統(tǒng)方式減少碳足跡來減輕技術(shù)對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 ...

202207 寬帶隙 2022-07-22

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體：切實可靠的節(jié)能降耗解決方案

受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在S...

意法半導(dǎo)體寬帶隙 2022-07-18

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實具有更多的性能優(yōu)勢。...

碳化硅 SiC 2021-10-08

碳化硅用于電機(jī)驅(qū)動

0? ?引言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到...

202106 MOSFET 2021-06-17

新基建所需的電力電源方案特點

我國正在大力興起新基建，帶來了5G、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、特高壓等對新一代電源產(chǎn)品的需求。為此，本刊邀請了部分業(yè)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)，介紹了相關(guān)的市場機(jī)會與技術(shù)趨勢。...

PWM WBG 2020-09-15

KEMET利用KONNEKT?高密度封裝技術(shù)擴(kuò)展KC-LINK?系列

全球領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)商基美電子（“KEMET”），近日繼續(xù)通過使用KONNEKT高密度封裝技術(shù)擴(kuò)展其廣受歡迎的KC-LINK系列來增強(qiáng)其電源轉(zhuǎn)換解決方案，從而滿足業(yè)界對快速開關(guān)寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體、EV/HEV、L...

WBG BME 2020-06-04

安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用

近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用...

SiC WBG 2020-03-11

SiC器件和封裝技術(shù)現(xiàn)狀

眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現(xiàn)快速開關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好...

WBG RdsA 2020-02-21

安森美半導(dǎo)體將在EV China 2019展示電動汽車和助推邁向自動駕駛的技術(shù)

汽車領(lǐng)域正迅速邁向采用純電動汽車(EV)，并采用將最終實現(xiàn)全自動駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域處于技術(shù)前沿，持續(xù)開發(fā)和推出器件及集成的系統(tǒng)方案，以使強(qiáng)固、可靠并完全符合最新汽車標(biāo)準(zhǔn)的高性能電子成分遍及整個...

安森美半導(dǎo)體自動駕駛 2019-07-05

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