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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上...

EPC 1mΩ 2024-03-05

適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指...

MOSFET 導(dǎo)通電阻 2023-09-20

英飛凌推出面向汽車(chē)的OptiMOS? 7 40V MOSFET

【2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 M...

英飛凌 OptiMOS 2023-05-12

ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析，從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌，行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節(jié)能減排核心半導(dǎo)體器件，功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于從家電、消費(fèi)電子到新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。順全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)洗牌大勢(shì)，近年來(lái)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升...

ITECH程控電源及電子負(fù)載 IGBT模塊 (600-2400V/4A-1800A) 2020-08-18

負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展在現(xiàn)代應(yīng)用的電源管理中發(fā)揮重要作用

　　作者/Bryson Barney 安森美半導(dǎo)體應(yīng)用工程師　　摘要：負(fù)載開(kāi)關(guān)在電源管理和負(fù)載保護(hù)中發(fā)揮重要作用。在為特定應(yīng)用選擇負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)有一些因素要考慮，此外，現(xiàn)在還可以使用一些性能和功能得以改進(jìn)的新器件。　　關(guān)鍵...

201906 負(fù)載開(kāi)光 2019-05-29

利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻

引言在高電流背板應(yīng)用中要求實(shí)現(xiàn)電路板的帶電插拔，這就需要兼具低導(dǎo)通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對(duì)瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常，專(zhuān)為擁有低導(dǎo)通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SO...

熱拔插導(dǎo)通電阻 2016-10-16

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸...

Vishay Si8851EDB 2013-12-27

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P...

Vishay MOSFET 2013-12-02

Silego推出業(yè)界首顆p通道MOSFE替代產(chǎn)品集成負(fù)載開(kāi)關(guān)

2013年10月15日，Silego公司的電源族又推出了納安級(jí)功耗負(fù)載開(kāi)關(guān)系列。此系列推出了兩款產(chǎn)品：支持6A負(fù)載電流的SLG59M1470V和支持2A負(fù)載電流的SLG59M1460V。...

Silego MOSFE 2013-11-28

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。...

TI MOSFET 2013-11-12

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開(kāi)關(guān)

2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- V...

Vishay CMOS 2013-11-07

東芝推出帶反向電流阻隔電路的業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻負(fù)荷開(kāi)關(guān)集成電路

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出內(nèi)嵌反向電流阻隔電路[1]的負(fù)荷開(kāi)關(guān)集成電路，該集成電路提供業(yè)內(nèi)最低的[3]導(dǎo)通電阻，即18.4mΩ[2]。這些集成電路可作為智能手機(jī)、平板電腦、超極本(Ultraboo...

東芝導(dǎo)通電阻 2013-10-18

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P...

Vishay MOSFET 2013-09-06

精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對(duì)于非常小阻值的測(cè)量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線(xiàn)，Kelvin方法是非常精確的。可以使用類(lèi)似的方法來(lái)測(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使...

MOSFET 精確測(cè)量 2012-05-30

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源......

SiC 功率元件 2012-04-22

電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

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電流限制導(dǎo)通電阻 2010-10-21

如何最大化減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率

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電源損耗柵極驅(qū)動(dòng) 2010-09-29

Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品...

Vishay 電容 2010-03-25

高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新英飛凌專(zhuān)家詳解提升能效秘笈

　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類(lèi)生存的難題已經(jīng)使全球有識(shí)之士認(rèn)識(shí)到節(jié)能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長(zhǎng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開(kāi)關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Sch...

英飛凌半導(dǎo)體 2008-05-29

Intersil 的模擬開(kāi)關(guān)提供了超低的導(dǎo)通電阻

Intersil 的模擬開(kāi)關(guān)提供了超低的導(dǎo)通電阻，并且板空間比先前的封裝小 72% ISL54050 和 ISL54056 均采用節(jié)省空間的 μTQFN&nbs...

Intersil 導(dǎo)通電阻 2007-01-02

Vishay推出微型1-FORM-A固體繼電器

　　Vishay Intertechnology宣布推出一款微型 1-Form-A 固體繼電器 (SSR) VO1400AEFTR，該器件具有 5 歐...

1-FORM-A Vishay 2006-09-12

ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻

　　意法半導(dǎo)體日前針對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專(zhuān)利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了最低的導(dǎo)通電阻。　　據(jù)介紹，STD95N04是一個(gè)40V標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品，最大導(dǎo)通電阻R...

ST 導(dǎo)通電阻 2006-03-03

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導(dǎo)通電阻