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鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款(2)面向車載應(yīng)用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品(1)。新產(chǎn)品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于多種...

鎧俠 UFS 4.0 2024-01-31

格芯和Microchip宣布Microchip 28納米SuperFlash嵌入式閃存解決方案投產(chǎn)

格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology? （SST?）近日宣布，采用 GF 28S...

格芯 Microchip 2023-09-29

鎧俠推出第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備

為了繼續(xù)推動通用閃存(1)（UFS）技術(shù)的發(fā)展，全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代...

鎧俠 UFS 4.0 2023-06-05

華虹半導(dǎo)體最新推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺助力大容量MCU解決方案

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司近日宣布，最新推出90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）工藝平臺，滿足大容量...

嵌入式閃存 2020-09-01

華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

華虹半導(dǎo)體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。...

華虹 90納米 2019-06-28

嵌入式閃存成就MAX 10 FPGA的系統(tǒng)價值

30年的低成本創(chuàng)新中國有句俗話叫“30年河?xùn)|，30年河西”，Altera在1984年發(fā)布了第一款非易失PLD EP300器件，30年間，可編程器件在性能上不斷發(fā)展甚至挑戰(zhàn)摩爾定律，工藝技術(shù)也有...

MAX10 FPGA 2016-10-18

ST推出業(yè)內(nèi)首款90nm技術(shù)嵌入式閃存的微控制器

日前，意法半導(dǎo)體(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列處理器內(nèi)核的微控制器研發(fā)項目上取得突破，推出全球業(yè)內(nèi)首款采用90nm技術(shù)嵌入式閃存的微控制器。目...

嵌入式閃存微控制器 2016-09-12

閃迪新一代 iNAND EXTREME 嵌入式閃存加快旗艦級安卓智能手機與平板電腦響應(yīng)速度

全球閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商閃迪公司日前宣布推出新一代 iNAND Extreme? 嵌入式閃存盤 (EFD) – 這是迄今為止閃迪推出的最快、最薄、最精良的嵌入式存儲產(chǎn)品。容量高達(dá) 64GB1 的 iNAND Extre...

閃迪嵌入式閃存 2014-02-25

MCU市場生變：進(jìn)為可攻退因難守

　　MCU市場波瀾再起。國內(nèi)閃存供應(yīng)商兆易創(chuàng)新近日發(fā)布基于ARMCortexTM-M3內(nèi)核GD32F103系列32位通用MCU產(chǎn)品。與此同時，富士通子公司富士通半導(dǎo)體宣布退出MCU業(yè)務(wù)，作價約1.1億美元以及6500萬美...

MCU 嵌入式閃存 2013-05-17

XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額...

X-FAB 嵌入式閃存 2011-07-07

宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST ...

宏力半導(dǎo)體嵌入式閃存 2010-09-25

華虹NEC實現(xiàn)“國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎”三連冠

　　2010年6月7日，國家金卡工程協(xié)調(diào)領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室在北京舉行了“2010年度國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎”頒獎儀式。世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱&ldquo...

華虹NEC 晶圓代工 2010-06-09

臺積電發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán)

　　TSMC今日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán)，是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識產(chǎn)權(quán)，適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。　　TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產(chǎn)權(quán)與0.25微米...

臺積電嵌入式閃存 2010-05-27

宏力推出客戶定制嵌入式閃存IP設(shè)計服務(wù)

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，開發(fā)了其針對不同應(yīng)用的多樣化設(shè)計方案?；谠撛O(shè)計方案，客戶可在宏力半導(dǎo)體經(jīng)過硅驗證的技術(shù)平臺上進(jìn)行設(shè)計，從而更為有效，同時減少...

宏力嵌入式閃存 2010-04-07

華虹NEC推出業(yè)界領(lǐng)先的0.13微米嵌入式EEPROM解決方案

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)近日宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺，成功開發(fā)出面向高性能智能卡、信息安全及微處理器...

華虹NEC 晶圓代工 2010-01-11

英飛凌攜手臺積電開發(fā)65納米嵌入式閃存工藝

　　英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項協(xié)議，英飛凌與臺積電...

臺積電 65納米 2009-11-05

宏力半導(dǎo)體首度技術(shù)論壇客戶積極參與場面爆棚

　　國內(nèi)知名的晶圓代工廠上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體) 日前在上海總部舉辦了自2003年投片生產(chǎn)以來的首次技術(shù)論壇。此次論壇得到了宏力半導(dǎo)體客戶的積極支持，不僅上?？蛻糅x躍參加，更有多家北京、深圳和華東地區(qū)的...

宏力半導(dǎo)體嵌入式閃存 2009-09-10

宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。　　宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自...

宏力嵌入式閃存 2009-08-11

中芯國際攜手常憶推出0.18微米嵌入式閃存工藝技術(shù)

　　中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”),世界領(lǐng)先的集成電路制造公司之一，與領(lǐng)先的非易失性內(nèi)存產(chǎn)品和 IP 供應(yīng)商常憶科技今日共同宣布，已成功推出中芯國際0.18微米嵌入式閃存工藝技術(shù)和 ...

中芯國際 IP 2009-06-02

飛利浦稱0.14微米嵌入式閃存/EEPROM量產(chǎn)

　飛利浦日前宣布其0.18微米CMOS嵌入式閃存/EEPROM技術(shù)現(xiàn)已完全符合Grade-1汽車電子應(yīng)用的需求，其0.14微米嵌入式閃存/EEPROM已開始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠進(jìn)行量產(chǎn)，這也是飛利浦第...

飛利浦嵌入式閃存 2006-03-23

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