久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

晶圓減薄

  晶圓減薄   集成電路制造技術(shù)的進步首先來源于市場需求的要求,其次是競爭的要求。在集成電路制造中,   半導體硅材料由于其資源豐富,制造成本低,工藝性好,是集成電路重要的基體材料。   從集成電路斷面結(jié)構(gòu)來看,大部分集成電路是在硅基體材料的淺表面層上制造。由于制造工藝的   要求,對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求。

  • 晶圓減薄資訊

宜特晶圓減薄能力達1.5mil

宜特 晶圓減薄 2021-01-07

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝,功率MOSFET在不斷進步

晶圓減薄 MOSFET 2013-03-13
相關(guān)標簽