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1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀今年業(yè)績回暖：存儲(chǔ)漲價(jià)是開始

2月1日消息，存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實(shí)沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年?duì)I收為258.94萬億韓元，同比減少14....

存儲(chǔ) 三星 2024-02-01

美光開始出貨業(yè)界首款采用 232 層 NAND 技術(shù)的消費(fèi)級(jí) SSD

IT之家 12 月 7 日消息，美光科技公司今天宣布，正在向全球 PC OEM 客戶運(yùn)送美光 2550 NVMe 固態(tài)硬盤，用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。美光 2550 SSD 采用 232 層 NAND 技術(shù)，...

鎂光 SSD 2022-12-07

外媒：美光占據(jù)全球汽車半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場55%份額

中關(guān)村在線消息，近日有國外分析機(jī)構(gòu)表示，美光在2021年的37億美元的汽車內(nèi)存市場總份額為55.0%，比2020年的53.9%略有上升。在整個(gè)汽車半導(dǎo)體市場516億美元的份額為3.9%，比2020年的3.4%略有上升。而...

存儲(chǔ) 鎂光 2022-07-13

容量達(dá)1.5TB!美光宣布提供microSD卡i400樣品

今天，美光宣布正向客戶提供世界上容量最大的microSD卡i400樣品，其容量達(dá)到1.5TB，而且搭載176層3D NAND，專為工業(yè)級(jí)視頻安全而設(shè)計(jì)。官方稱，i400具有包括五年高質(zhì)量連續(xù)24x7錄制，能夠同時(shí)處理4K...

鎂光 microSD卡 2022-06-22

高性能存儲(chǔ)的未來

　　過去十二個(gè)月里，有關(guān)存儲(chǔ)技術(shù)最新進(jìn)展的宣傳報(bào)道一直甚囂塵上，其中包括新型非易失性存儲(chǔ)器(如：三星[Samsung]的Z-NAND以及英特爾[Intel]和鎂光科技[Micron]的3D Xpoint)。非易...

存儲(chǔ) 鎂光 2017-07-13

DDR5內(nèi)存詳細(xì)規(guī)格公布：2020年普及

　　今天，鎂光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細(xì)規(guī)格。作為DDR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB，I/O帶寬能達(dá)到3.2-...

鎂光 DDR5 2016-08-25

鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道，鎂光這款 ...

鎂光 3D閃存 2016-08-11

鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

鎂光 NAND 2016-08-10

Intel暫停大連工廠擴(kuò)建計(jì)劃,或轉(zhuǎn)頭吃下鎂光

　　瑞士信貸所近日發(fā)布研究報(bào)告稱，Intel將暫定對(duì)中國大連記憶體生產(chǎn)線的擴(kuò)建計(jì)劃，轉(zhuǎn)而尋求直接收購鎂光科技，以迅速擴(kuò)大在該領(lǐng)域的實(shí)力。　　半導(dǎo)體市場的并購風(fēng)潮仍在持續(xù)演進(jìn)中，日前有消息稱，鎂光也正在考慮引進(jìn)戰(zhàn)略投資...

Intel 鎂光 2016-08-05

閃存容量突破性進(jìn)展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度。基于該技術(shù)，可打造...

英特爾鎂光 2015-04-03

鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

　　閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比...

鎂光 NAND 2013-02-16

NAND閃存高級(jí)制程技術(shù)量產(chǎn)后才有意義

　　盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉(zhuǎn)移，但按閃存業(yè)者的看法，只有將這些高級(jí)制程投入量產(chǎn)使用才較有實(shí)際意義。NAND閃存產(chǎn)品向更高級(jí)制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí)，所需的產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)間越來越長，便是這一看法的明證之一。　　...

鎂光 NAND閃存 2011-05-17

技術(shù)落后導(dǎo)致臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠商陷入被動(dòng)局面

　　據(jù)美臺(tái)商會(huì)(US-Taiwan Business Council)的一份報(bào)告稱，鎂光公司可能會(huì)收購其參與合資的臺(tái)灣內(nèi)存公司華亞的剩余股份，使之成為自己的全資控股子公司。報(bào)告稱：“美國內(nèi)存芯片廠商鎂光與南亞和華亞兩家...

鎂光內(nèi)存芯片 2011-04-27

鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片

　　鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。　　該芯片采用低電壓DDR2標(biāo)準(zhǔn)制造，可與英特爾開發(fā)代號(hào)Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等...

鎂光 50納米 2010-07-29

"壟斷案"塵埃落定：鎂光從寬發(fā)落爾必達(dá)南亞認(rèn)罰

　　日本爾必達(dá)公司和臺(tái)灣南亞內(nèi)存公司最近發(fā)表聲明稱公司愿意接受歐委會(huì)有關(guān)涉嫌惡意操縱內(nèi)存芯片價(jià)格的處罰決定，不過同遭此指控的其它幾家內(nèi)存廠商則尚未就此事發(fā)表類似的聲明。　　本月18日，歐委會(huì)宣布完成了內(nèi)存芯片價(jià)格壟...

鎂光內(nèi)存 2010-05-21

鎂光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

　　繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，鎂光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，鎂光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，三星公司芯片部...

鎂光內(nèi)存芯片 2010-03-24

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程

　　鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的...

鎂光 NAND 2010-03-04

鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。 ...

鎂光內(nèi)存芯片 2010-02-10

飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號(hào)RealSSD C...

鎂光 34納米 2010-01-08

Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制

　　在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會(huì)于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信 ...

鎂光 NAND 2009-12-25

鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

　　鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫入壽命達(dá)3萬次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產(chǎn)品...

鎂光 NAND 2009-10-21

臺(tái)灣內(nèi)存公司有望與爾必達(dá)鎂光兩家達(dá)成技術(shù)合作

　　近日業(yè)界有猜測稱鎂光科技正在請(qǐng)求美國政府幫助游說臺(tái)灣內(nèi)存公司（TMC），以便與TMC達(dá)成合作關(guān)系。TMC將于本月底對(duì)外正式公布自己的技術(shù)合作伙伴。　　鎂光駁斥了這一猜測，他們宣稱自己通向TMC項(xiàng)目的大門并沒有被關(guān)...

鎂光內(nèi)存 2009-03-27

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鎂光

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美光開始出貨業(yè)界首款采用 232 層 NAND 技術(shù)的消費(fèi)級(jí) SSD

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DDR5內(nèi)存詳細(xì)規(guī)格公布：2020年普及

鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

Intel暫停大連工廠擴(kuò)建計(jì)劃,或轉(zhuǎn)頭吃下鎂光

閃存容量突破性進(jìn)展！

鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

NAND閃存高級(jí)制程技術(shù)量產(chǎn)后才有意義

技術(shù)落后導(dǎo)致臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠商陷入被動(dòng)局面

鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片

"壟斷案"塵埃落定：鎂光從寬發(fā)落爾必達(dá)南亞認(rèn)罰

鎂光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程

鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

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臺(tái)灣內(nèi)存公司有望與爾必達(dá)鎂光兩家達(dá)成技術(shù)合作

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