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閃存芯片

閃存芯片 目錄[隱藏] 閃存芯片簡介閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術特點擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素1.頁數量 2.頁容量 3.塊容量 4.I/O位寬 5.頻率 6.制造工藝 閃存芯片簡介 閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術特點 擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素 1.頁數量 2.頁容量 3.塊容量 4.I/O位寬 5.頻率 6.制造工藝    [編輯本段]閃存芯片簡介 閃存介紹   目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是"閃動的存儲器",通常把它稱作"快閃存儲器",簡稱"閃存"。   閃存盤是一種移動存儲產品,可用于存儲任何格式數據文件便于隨身攜帶,是個人的“數據移動中心”。   閃存盤采用閃存存儲介質(Flash Memory)和通用串行總線(USB)接口,具有輕巧精致、使用方便、便于攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特征,是大家理想的便攜存儲工具。   我們常說的閃存其實只是一個籠統的稱呼,準確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱,特點是斷電后數據不消失,因此可以作為外部存儲器使用。

  • 閃存芯片資訊

鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片:連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%

西部數據NAND Flash業務拆分最新進展,新任CEO揭曉

6.5EB的閃存芯片被污染,漲價已成為事實

2022年裝機要趁早:閃存芯片即將迎來漲價

裝機 閃存芯片 2022-02-13

三星西安量產高端閃存芯片

三星 閃存芯片 2014-05-15

三星項目擬明年上半年正式投產

三星 閃存芯片 2013-07-10

64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

NAND 閃存芯片 2013-04-25

東芝上一財年營業利潤下降14%至26億美元

東芝 閃存芯片 2012-05-09

Spansion開始批量生產最高密度單芯片512 Mb串行閃存

Spansion 閃存芯片 2012-04-05

三星閃存芯片項目選址西安 一期投資70億美元

三星 閃存芯片 2012-03-25

東芝聯手SanDisk開發全球最小128Gb閃存芯片

東芝 閃存芯片 2012-02-26

三星在華建閃存芯片工廠計劃獲批 6個月內動工

三星 閃存芯片 2012-01-08

三星在華建閃存芯片工廠計劃獲批 6個月內動工

三星 閃存芯片 2012-01-04

三星計劃在中國設閃存芯片廠 或耗資40億美元

三星 閃存芯片 2011-12-06

出貨不如預期 閃存芯片價格小幅下跌

閃存芯片 NAND 2011-08-29

NANDFlash買賣雙方協商 閃存芯片合約價下跌達30%

NANDFlash 閃存芯片 2011-08-04

東芝預計下半年閃存芯片需求將回彈

東芝 閃存芯片 2011-07-14

NAND閃存芯片價格創7個月來新高

NAND 閃存芯片 2011-04-20

日本地震未致芯片實質性缺貨

芯片 閃存芯片 2011-03-23

iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍

NAND 閃存芯片 2011-02-28

夏普聯袂爾必達開發下一代ReRAM閃存芯片

夏普 閃存芯片 2010-10-13

蘋果效應不再 NAND閃存價格持續下滑

NAND 閃存芯片 2010-09-17

英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

英特爾 NAND 2010-08-19

東芝宣布未來三年內削減116.4億美元支出

東芝 閃存芯片 2010-08-16

蘋果砸中閃存

NAND 閃存芯片 2010-08-02

三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%

三星電子 NAND 2010-08-02

NAND閃存芯片價格三季度將上漲

NAND 閃存芯片 2010-07-06

因供不應求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲

NAND 閃存芯片 2010-07-05

inSpectrum:內存/閃存芯片現貨價格本周出現下降

東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開工建造

東芝 NAND 2010-03-25

SanDisk將為昔日冤家供應閃存芯片產品

SanDisk 閃存芯片 2010-03-11

SanDisk-東芝聯盟憑借三位元技術扭轉戰局

SanDisk NAND 2010-03-05

傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產能

東芝 NAND 2010-02-11

Hynix宣布已成功開發出26nm制程NAND閃存芯片產品

Hynix 26nm 2010-02-11

分析師:美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠興建計劃

Intel 300mm 2010-01-29

英特爾和美光計劃下周公布閃存芯片的新進展

英特爾 NAND 2010-01-27

12英寸集成電路生產線今年底試投產

韓國結束對閃存商反壟斷調查 未發現違法行為

海力士 NAND 2009-12-31

傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質量存穩定性問題

NAND 閃存芯片 2009-12-30

傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產能

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