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高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現這些目標，開發人員正在轉向氮化鎵（GaN），這是一種可實現高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的...

集成驅動器高級保護 2025-05-08

消費電子和工業應用領域正呈現出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設計，同時還需采用非常規?PCB設計，此類設計面臨嚴格的空間限制，從而限制了外部元件的使用。為應對這些挑戰，英飛凌科技股份...

英飛凌 CoolGaN Drive 2024-08-15

將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。...

氮化鎵 TI 2018-08-10

1引言隨著電力電子技術和電力半導體器件的飛速發展，近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調速裝置、開關電源、......

驅動電路集成驅動器 2012-03-17

根據永磁無刷直流電機控制系統的設計參數、成本及靈活性等各方面的要求，設計了以AVR單片機及LM621集成驅動器為核心的硬件平臺。本控制系統保護功能較完善，硬件結構簡單，成本較低，在實際工程中有一定的應用價值。 ...

單片機 AVR 2011-11-30

ZD3315 集成塊的面積只有 2mmx3ram ，自帶散熱面，司借助印板銅箔散熱，可驅動四路 LED ，適合在高密度安裝的場合使用。該集成電路不需要外接電感線圈，只需外接一個電阻和一個電容就足夠了，流過 LED 的電流...

LED 集成驅動器 2008-03-20

瑞薩科技發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）” 實現CPU穩壓器應用的業界最高效能 --與瑞薩科技當前的產品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技...

DrMOS MOSFET 2006-11-27

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