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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應

在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納...

MOSFET 雪崩 2024-02-29

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應用

本文闡述了大容量鋰離子電池包內部功率MOSFET的配置以及實現二級保護的方案；論述了其實現高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術和CSP封裝技術的特點；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技...

電池充放電管理雪崩 2021-12-29

看懂MOSFET數據表，第1部分―UIS/雪崩額定值

在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模...

MOSFET 雪崩 2018-08-01

根據雪崩性能選擇肖特基二極管

汽車電子模塊要求采取反向電池保護措施，以避免不良電池操作可能導致的損壞風險。肖特基二極管是這種應用的首選器件，因為它們具有很低的前向...

肖特基二極管雪崩 2016-10-22

雪崩光電二極管反向電流的測量

雪崩光電二極管（APD）是一種高靈敏度、高速度的光電二極管。施加反向電壓時，能啟動其內部的增益機構。APD的增益可以由反向偏置電壓的幅度來控制。反向偏置電壓越大增益就越高。APD在電場強度的作用下工作，光電流的...

雪崩光電二極管 2012-05-30

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評...

解析能量 2012-02-18

功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復雜...

問題分析 2011-03-20

利用CompactRIO 和LabVIEW在法國阿爾卑斯山脈研究

技術人員正在“減勢土墩”上安裝設備行業:科研產品:實時模塊, FPGA模塊, CompactRIO挑戰:通過收集關于雪流速度和壓力的實時數據，確定雪崩中雪流規律以及雪崩阻滯屏障的有效性。解決...

CompactRIO LabVIEW 2011-01-17

MOSFET雪崩能量的應用考慮

　在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中...

考慮應用 2010-12-30

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

解析能量 2010-05-07

理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評定這...

雪崩能量 2010-04-06

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