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非易失性存儲

一種數(shù)據(jù)存儲方法，實(shí)現(xiàn)原理后是，它包括在介電材料襯底上形成的一個(gè)交叉點(diǎn)存儲陣列。交叉點(diǎn)存儲陣列包括第一和第二組橫向電極，它們被一個(gè)包含至少一個(gè)半導(dǎo)體層的存儲層所分隔。在每個(gè)由第一和第二組電極形成的交叉點(diǎn)處，存儲層形成一個(gè)非易失性存儲元件。通過對經(jīng)過存儲元件的預(yù)定電流形式的寫入信號的應(yīng)用，每個(gè)存儲元件可以在低和高阻抗?fàn)顟B(tài)之間切換，表示對應(yīng)的二進(jìn)制狀態(tài)。

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